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PSMN8R7-80PS

更新时间： 2024-11-22 11:16:07

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安世 - NEXPERIA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	811K
描述
N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220Production

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PSMN8R7-80PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.7
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0087 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	361 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN8R7-80PS 数据手册

PSMN8R7-80PS

N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220

Rev. 02 — 1 November 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO-220 package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

170

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 10 A;

T_j= 100 °C; see Figure 12

mΩ

[1]

V_GS= 10 V; I_D= 10 A;

7.5

8.7

mΩ

T_j= 25 °C; see Figure 13

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 40 V; see Figure 14;

see Figure 15

Q_G(tot)

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

120 mJ

drain-source avalanche I_D= 90 A; V_sup≤ 80 V;

energy R_GS= 50 Ω; unclamped

[1] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...15

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