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PSMN8R7-80BS

更新时间： 2024-11-07 11:14:07

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	970K
描述
N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in D2PAKProduction

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PSMN8R7-80BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.0087 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	361 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN8R7-80BS 数据手册

PSMN8R7-80BS

N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in D2PAK

Rev. 2 — 2 March 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

I_D

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

170

175

T_j

-55

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 10 A; T_j= 100 °C;

see Figure 12

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 10 A; T_j= 25 °C;

see Figure 13

7.5

8.7

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 40 V;

see Figure 14; see Figure 15

Q_G(tot)

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 90 A;

120

drain-source

V_sup≤ 80 V; R_GS= 50 Ω; unclamped

avalanche energy

12 3 4 5 6 7...14

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