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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN8R3-40YS
PSMN8R3-40YS PDF预览

PSMN8R3-40YS

更新时间： 2024-09-16 10:00:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 212K
描述
N-channel LFPAK 40 V 8.6 mΩ standard level MOSFET

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PSMN8R3-40YS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, LFPAK-4针数：235
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73雪崩能效等级（Eas）：33 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0086 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：274 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN8R3-40YS 数据手册

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PSMN8R3-40YS  
N-channel LFPAK 40 V 8.6 mΩ standard level MOSFET  
Rev. 01 — 25 June 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
„ Advanced TrenchMOS provides low  
„ Improved mechanical and thermal  
RDSon and low gate charge  
characteristics  
„ High efficiency gains in switching  
„ LFPAK provides maximum power  
power converters  
density in a Power SO8 package  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC convertors  
„ Lithium-ion battery protection  
„ Load switching  
„ Motor control  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
40  
70  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
74  
W
Tj  
junction temperature  
-55  
175  
°C  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
drain-source  
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C;  
ID = 62 A; Vsup ≤ 40 V;  
unclamped; RGS = 50 Ω  
-
-
33  
mJ  
avalanche energy  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
VDS = 20 V; see Figure 14;  
see Figure 15  
-
-
4.5  
20  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
1234567...13

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