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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0086 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 274 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN8R5-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-100PS_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN8R5-40HS | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 8.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProd |
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| PSMN8R5-40MLD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 8.5 mΩ, logic level MOSFET in |
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| PSMN8R5-40MSD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 8.5 mΩ, standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-60YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS |
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| PSMN8R5-60YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS |
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| PSMN8R5-60YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN8R5-60YS - N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ sta |
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| PSMN8R7-80BS | NXP |
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90A, 80V, 0.0087ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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