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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 386 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 120 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0079 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN7R8-120PSQ | NXP |
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PSMN7R8-120PS MIKEB - N-channel 120V 7.9mΩ st |
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| PSMN8R0-30YL | NXP |
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N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level F |
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| PSMN8R0-30YL_1105 | NXP |
获取价格 |
N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level F |
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| PSMN8R0-30YLC | NXP |
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N-channel 30 V 7.9 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN8R0-40BS | NEXPERIA |
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N-channel 40 V 7.6 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN8R0-40HL | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 9.4 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct |
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| PSMN8R0-40PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V 7.6 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN8R0-40PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V 7.6 mΩ standard level MOSFETPr |
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| PSMN8R0-80YL | NEXPERIA |
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N-channel 80 V, 8 mΩ logic level MOSFET in LF |
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| PSMN8R2-80YS | NXP |
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N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MO |
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