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PSMN7R8-120PS

更新时间： 2024-09-16 20:08:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 262K
描述
70A, 120V, 0.0079ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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PSMN7R8-120PS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
雪崩能效等级（Eas）：386 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：120 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0079 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A参考标准：IEC-60134
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN7R8-120PS 数据手册

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B
A
0
2
2
-
O
T
PSMN7R8-120PS  
N-channel 120V 7.9mΩ standard level MOSFET in TO220  
25 January 2013  
Product data sheet  
1. General description  
Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and power  
supply equipment.  
2. Features and benefits  
High efficiency due to low switching and conduction losses  
TO220 package  
Suitable for standard level gate drive  
•
•
•
3. Applications  
AC-to-DC power supply  
Synchronous rectification  
Motor control  
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
120  
70  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2  
349  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 12  
4.7  
6.72  
7.9  
mΩ  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A; VDS = 60 V;  
Fig. 14; Fig. 15  
-
-
50.5  
167  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive drain-  
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C; ID = 70 A;  
Vsup ≤ 120 V; unclamped; RGS = 50 Ω;  
Fig. 3  
-
-
386  
mJ  
source avalanche  
energy  
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1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN7R8-120PSQ NXP

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