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PSMN8R2-80YS PDF预览

PSMN8R2-80YS

更新时间： 2024-09-16 10:00:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 217K
描述
N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MOSFET

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PSMN8R2-80YS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, LFPAK-4针数：235
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：82 A最大漏极电流 (ID)：82 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：326 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN8R2-80YS 数据手册

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PSMN8R2-80YS  
N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MOSFET  
Rev. 01 — 25 June 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
„ Advanced TrenchMOS provides low  
„ Improved mechanical and thermal  
RDSon and low gate charge  
characteristics  
„ High efficiency gains in switching  
„ LFPAK provides maximum power  
power converters  
density in a Power SO8 package  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC converters  
„ Lithium-ion battery protection  
„ Load switching  
„ Motor control  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
80  
82  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
130  
175  
W
Tj  
junction temperature  
-55  
°C  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
drain-source  
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C;  
ID = 75 A; Vsup ≤ 80 V;  
RGS = 50 Ω; unclamped  
-
-
120  
mJ  
avalanche energy  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
VDS = 40 V; see Figure 14;  
see Figure 15  
-
-
12  
55  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN8R2-80YS,115 ETC

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