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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 426 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0076 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 481 A | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN7R6-60BS | NXP |
获取价格 |
92A, 60V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| PSMN7R6-60BS | NEXPERIA |
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N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN7R6-60BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN7R6-60BS - N-channel 60 V 7.8 mΩ standard |
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| PSMN7R6-60PS | NXP |
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N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN7R6-60PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFETPr |
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| PSMN7R6-60PS,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN7R6-60PS - N-channel 60 V 7.8 mΩ standard |
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| PSMN7R8-100PSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 7.8 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN7R8-120PS | NXP |
获取价格 |
70A, 120V, 0.0079ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| PSMN7R8-120PSQ | NXP |
获取价格 |
PSMN7R8-120PS MIKEB - N-channel 120V 7.9mΩ st |
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| PSMN8R0-30YL | NXP |
获取价格 |
N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level F |
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