是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.36 |
雪崩能效等级(Eas): | 316 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0068 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 475 A | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | IEC-60134 | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PSMN7R0-100XS | NXP |
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55A, 100V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 | |
PSMN7R0-30MLC | NEXPERIA |
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N-channel 30 V 7 mΩ logic level MOSFET in LFP | |
PSMN7R0-30MLC,115 | NXP |
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PSMN7R0-30MLC - N-channel 30 V 7 mΩ logic lev | |
PSMN7R0-30YL | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET | |
PSMN7R0-30YL,115 | NXP |
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PSMN7R0-30YL - N-channel 30 V 7 mΩ logic leve | |
PSMN7R0-30YL_10 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET | |
PSMN7R0-30YLC | NXP |
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N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L | |
PSMN7R0-30YLC | NEXPERIA |
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N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L | |
PSMN7R0-30YLC,115 | NXP |
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PSMN7R0-30YLC - N-channel 30 V 7.1 mΩ logic l | |
PSMN7R0-60YS | NXP |
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N-channel LFPAK 60 V 6.4 mΩ standard level MO |