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PSMN7R0-30YLC

更新时间： 2024-11-22 11:12:47

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	771K
描述
N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technologyProduction

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PSMN7R0-30YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	15 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	61 A
最大漏源导通电阻：	0.0089 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	245 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN7R0-30YLC 数据手册

PSMN7R0-30YLC

N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

Table 1.

Quick reference data …continued

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A;

V_DS= 15 V; see Figure 14;

see Figure 15

2.5

7.9

Q_G(tot)

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A;

V_DS= 15 V; see Figure 14;

see Figure 15

2. Pinning information

Table 2.

Pinning information

Symbol Description

Simplified outline

Graphic symbol

source

gate

mbb076

mounting base; connected to drain

2 3 4

SOT669 (LFPAK;

Power-SO8)

3. Ordering information

Table 3.

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

plastic single-ended surface-mounted package; 4 leads

Version

PSMN7R0-30YLC

LFPAK; Power-SO8

SOT669

12 3 4 5 6 7...14

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