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PSMN7R6-100BSE

更新时间： 2024-09-16 11:15:15
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 820K
描述
N-channel 100 V 7.6 mΩ standard level MOSFET in D2PAKProduction

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PSMN7R6-100BSE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：426 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0076 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：296 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：481 A参考标准：IEC-60134
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN7R6-100BSE 数据手册

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PSMN7R6-100BSE  
N-channel 100 V 7.6 mΩ standard level MOSFET in D2PAK  
18 December 2012  
Product data sheet  
1. General description  
Standard level N-channel MOSFET in a D2PAK package qualified to 175 °C. Part of  
Nexperia's "NextPower Live" portfolio, the PSMN7R6-100BSE complements the latest  
"hot-swap" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn  
on, whilst offering a low RDS(on) characteristic to keep temperatures down and efficiency  
up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48 V backplane /  
supply rail.  
2. Features and benefits  
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation  
Very low RDS(on) for low conduction losses  
•
•
3. Applications  
Electronic fuse  
Hot swap  
Load switch  
Soft start  
•
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
100  
75  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Tmb = 100 °C; VGS = 10 V; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
[1]  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2  
296  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 12  
-
6.5  
7.6  
mΩ  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A; VDS = 50 V;  
Fig. 14; Fig. 15  
-
-
41  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
128  
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN7R6-60BS NXP

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PSMN7R6-60BS NEXPERIA

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