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PSMN7R0-100XS

更新时间： 2024-09-15 21:00:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	223K
描述
55A, 100V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

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PSMN7R0-100XS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.0068 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN7R0-100XS 数据手册

PSMN7R0-100XS

O-220F

N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET in TO220F

(SOT186A)

Rev. 3 — 6 March 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO220F (SOT186A) package qualified to 175C.

This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial,

communications and domestic equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Isolated package

and conduction losses

 Suitable for standard level gate drive

1.3 Applications

 AC-to-DC power supply equipment

 Motor control

 Server power supplies

 Synchronous rectification

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

T_mb= 25 °C; see Figure 2

I_D

P_tot

total power dissipation

57.7

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

5.4

6.8

mΩ

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; V_DS= 50 V;

see Figure 14; see Figure 15

Q_G(tot)

121

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source

avalanche energy

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 55 A;

V_sup≤ 100 V; unclamped; R_GS= 50 Ω;

see Figure 3

420

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN7R0-30MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 7 mΩ logic level MOSFET in LFP
PSMN7R0-30MLC,115	NXP	获取价格	PSMN7R0-30MLC - N-channel 30 V 7 mΩ logic lev
PSMN7R0-30YL	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN7R0-30YL,115	NXP	获取价格	PSMN7R0-30YL - N-channel 30 V 7 mΩ logic leve
PSMN7R0-30YL_10	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN7R0-30YLC	NXP	获取价格	N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN7R0-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN7R0-30YLC,115	NXP	获取价格	PSMN7R0-30YLC - N-channel 30 V 7.1 mΩ logic l
PSMN7R0-60YS	NXP	获取价格	N-channel LFPAK 60 V 6.4 mΩ standard level MO
PSMN7R0-60YS	NEXPERIA	获取价格	N-channel LFPAK 60 V 6.4 mΩ standard level MO

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