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PSMN7R0-30YL

更新时间： 2024-09-15 06:05:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	192K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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PSMN7R0-30YL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4
针数：	235	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.19	雪崩能效等级（Eas）：	21 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A
最大漏极电流 (ID)：	76 A	最大漏源导通电阻：	0.0091 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	51 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN7R0-30YL 数据手册

PSMN7R0-30YL

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 15 October 2008

Preliminary data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

industrial and communications applications.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for logic level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

Class-D amplifiers

DC-to-DC converter

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 10 A;

V_DS= 12 V; see Figure 14;

see Figure 15

2.9

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 13

4.7

mΩ

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PSMN7R0-30YLC	NXP	获取价格	N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN7R0-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L
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