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PSMN6R5-80PS

更新时间： 2024-09-15 11:14:35

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安世 - NEXPERIA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	818K
描述
N-channel 80V 6.9mΩ standard level MOSFET in TO220Production

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PSMN6R5-80PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0069 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	470 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN6R5-80PS 数据手册

PSMN6R5-80PS

N-channel 80 V 6.9 mΩ standard level MOSFET in TO220

Rev. 02 — 1 November 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

100

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

210

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

[2]

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 25 °C; see Figure 13

5.9

6.9

mΩ

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 40 V; see Figure 14;

see Figure 15

Q_G(tot)

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source

avalanche energy

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 49 A; V_sup≤ 80 V;

R_GS= 50 Ω; unclamped

700 mJ

[1] Continuous current rating is limited by package.

[2] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN6R5-80PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN034-100PS	NXP	功能相似	N-channel 100 V 34.5 mÎ© standard level MOSFE
PSMN2R7-30PL	NXP	功能相似	N-channel 30 V 2.7 mΩ logic level MOSFET
PSMN016-100PS	NXP	功能相似	N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in

与PSMN6R5-80PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN6R5-80PS,127	NXP	获取价格	PSMN6R5-80PS - N-channel 80V 6.9mΩ standard l
PSMN6R7-40MLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 6.7 mΩ, logic level MOSFET in
PSMN6R7-40MSD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 6.7 mΩ, standard level MOSFET
PSMN6R8-40HS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 6.8 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProd
PSMN7R0-100BS	NXP	获取价格	N-channel 100V 6.8 mÎ© standard level MOSFET
PSMN7R0-100BS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i
PSMN7R0-100ES	NXP	获取价格	N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i
PSMN7R0-100ES,127	NXP	获取价格	PSMN7R0-100ES - N-channel 100V 6.8 mΩ standar
PSMN7R0-100PS	NXP	获取价格	N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i
PSMN7R0-100PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i

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