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PSMN7R0-100BS

更新时间： 2024-09-16 11:15:07

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安世 - NEXPERIA		PC 开关脉冲晶体管
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14页	971K
描述
N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK.Production

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PSMN7R0-100BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	944474	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	D2PAK (SOT404)_FFW	Samacsys Released Date：	2018-06-07 09:32:17
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	315 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0068 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	475 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN7R0-100BS 数据手册

PSMN7R0-100BS

N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK.

Rev. 2 — 2 March 2012

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

269

175

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

[1]

I_D

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

T_j

-55

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 100 °C; see Figure 12

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 25 °C; see Figure 13

mΩ

5.4

6.8

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 50 V;

see Figure 15; see Figure 14

Q_G(tot)

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 50 V;

see Figure 14; see Figure 15

125

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 100 A;

V_sup= 100 V; unclamped; R_GS= 50 Ω

315

avalanche energy

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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