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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.43 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 46 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 66 A | 最大漏源导通电阻： | 0.00835 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 263 A |
| 参考标准： | IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN6R0-30YLDX | NXP |
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PSMN6R0-30YLD - N-channel 30 V, 6.0 mΩ logic |
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| PSMN6R1-25MLD | NEXPERIA |
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N-channel 25 V, 6.8 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN6R1-30YLD | NEXPERIA |
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N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN6R1-40HL | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 7.2 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct |
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| PSMN6R4-30MLD | NEXPERIA |
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N-channel 30 V, 6.4 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN6R5-25YLC | NXP |
获取价格 |
N-channel 25 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN6R5-25YLC | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 25 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN6R5-80BS | NXP |
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N-channel 80V 6.9mΩ standard level MOSFET in |
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| PSMN6R5-80BS | NEXPERIA |
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N-channel 80V 6.9mΩ standard level MOSFET in |
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| PSMN6R5-80PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 80V 6.9mΩ standard level MOSFET in |
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