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PSMN6R5-25YLC

更新时间： 2024-09-14 10:00:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	285K
描述
N-channel 25 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

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PSMN6R5-25YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	64 A
最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	256 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN6R5-25YLC 数据手册

PSMN6R5-25YLC

LFP

N-channel 25 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 1 — 12 July 2011

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High reliability Power SO8 package,

 Optimised for 4.5V Gate drive utilising

qualified to 175°C

NextPower Superjunction technology

 Low parasitic inductance and

 Ultra low QG, QGD, and QOSS for

high system efficiencies at low and

high loads

resistance

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Synchronous buck regulator

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12

7.3

5.5

8.5

6.5

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 20 A;

mΩ

T_j= 25 °C; see Figure 12

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A;

V_DS= 12 V; see Figure 14;

see Figure 15

2.8

8.4

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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