Datasheet > PSMN6R0-30YLB

PSMN6R0-30YLB

更新时间： 2024-09-14 20:10:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
15页	307K
描述
71A, 30V, 0.0081ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER SO8, LFPAK-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN6R0-30YLB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, POWER SO8, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	13 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	71 A	最大漏源导通电阻：	0.0081 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	283 A
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN6R0-30YLB 数据手册

PSMN6R0-30YLB

LFP

N-channel 30 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 2 — 24 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High reliability Power SO8 package,

 Optimised for 4.5V Gate drive utilising

qualified to 175°C

NextPower Superjunction technology

 Low parasitic inductance and

 Ultra low QG, QGD, & QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

resistance

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Synchronous buck regulator

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

-55

175

°C

Static characteristics

R_DSon

drain-source on-state resistance V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

6.9

5.5

8.1

6.5

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 20 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A; V_DS= 15 V;

see Figure 14; see Figure 15

2.6

Q_G(tot)

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A; V_DS= 15 V;

see Figure 14; see Figure 15

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与PSMN6R0-30YLB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN6R0-30YLB,115	NXP	获取价格	PSMN6R0-30YLB - N-channel 30 V 6.5 mΩ logic l
PSMN6R0-30YLC	NXP	获取价格	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)
PSMN6R0-30YLD	NXP	获取价格	暂无描述
PSMN6R0-30YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in
PSMN6R0-30YLDX	NXP	获取价格	PSMN6R0-30YLD - N-channel 30 V, 6.0 mΩ logic
PSMN6R1-25MLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V, 6.8 mΩ logic level MOSFET in
PSMN6R1-30YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in
PSMN6R1-40HL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 7.2 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct
PSMN6R4-30MLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 6.4 mΩ logic level MOSFET in
PSMN6R5-25YLC	NXP	获取价格	N-channel 25 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in L

与PSMN6R0-30YLB相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

80
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

70
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

116

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN6R0-30YLB

PSMN6R0-30YLB 技术参数

PSMN6R0-30YLB 数据手册

与PSMN6R0-30YLB相关器件

与PSMN6R0-30YLB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN6R0-30YLB

PSMN6R0-30YLB 技术参数

PSMN6R0-30YLB 数据手册

与PSMN6R0-30YLB相关器件

与PSMN6R0-30YLB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？