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PSMN5R6-100BS

更新时间： 2024-11-25 12:36:43

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	214K
描述
N-channel 100 V 5.6 mÎ© standard level MOSFET in D2PAK Rev. 1 â 20 March 2012

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PSMN5R6-100BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	468 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0056 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	539 A
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN5R6-100BS 数据手册

PSMN5R6-100BS

D2P

N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET in D2PAK

Rev. 1 — 20 March 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package qualified to 175 °C. This

product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications

and domestic equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

306

175

-55

°C

Static characteristics

R_DSon

drain-source on-state resistance V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 100 °C;

see Figure 12; see Figure 13

8.5

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 13

4.72

5.6

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 50 V;

see Figure 14; see Figure 15

Q_G(tot)

141

Avalanche Ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source

avalanche energy

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 100 A; V_sup≤ 100 V;

R_GS= 50 Ω; unclamped

468

[1] Continuous current limited by package.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN5R6-100BS,118	NXP	获取价格	PSMN5R6-100BS - N-channel 100 V 5.6 mΩ standa
PSMN5R6-100PS	NXP	获取价格	N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET
PSMN5R6-100PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET
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PSMN5R8-30LL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, 1 MM HEIGH
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