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PSMN5R8-30LL

更新时间： 2024-11-25 15:48:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	339K
描述
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, 1 MM HEIGHT, PLASTIC, QFN3333, 8 PIN, FET General Purpose Power

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PSMN5R8-30LL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	47 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	295 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN5R8-30LL 数据手册

PSMN5R8-30LL

N-channel DFN3333-8 30 V 5.8 mΩ logic level MOSFET

DFN3333-8

Rev. 3 — 12 December 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in DFN3333-8 package qualified to 150 °C. This product

is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and power

supply equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for logic level gate drive

and conduction losses

sources

 Small footprint for compact designs

1.3 Applications

 Battery protection

 Load switching

 Power ORing

 DC-to-DC converters

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

-55

150

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 10 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

6.1

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 10 A; T_j= 100 °C;

see Figure 13

7.7

5.8

V_GS= 10 V; I_D= 10 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

12 3 4 5 6 7...15

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