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PSMN5R8-40YS

更新时间： 2024-09-09 11:10:51
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 823K
描述
N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MOSFETProduction

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PSMN5R8-40YS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：65 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN5R8-40YS 数据手册

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PSMN5R8-40YS  
N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MOSFET  
Rev. 03 — 25 October 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
„ Advanced TrenchMOS provides low  
„ Improved mechanical and thermal  
RDSon and low gate charge  
characteristics  
„ High efficiency gains in switching  
„ LFPAK provides maximum power  
power converters  
density in a Power SO8 package  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC convertors  
„ Lithium-ion battery protection  
„ Load switching  
„ Motor control  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
40  
90  
V
A
ID  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1  
Ptot  
Tj  
total power dissipation  
junction temperature  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
89  
W
-55  
175 °C  
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 15 A;  
Tj = 100 °C; see Figure 12  
-
-
-
7.7  
5.7  
mΩ  
mΩ  
V
GS = 10 V; ID = 15 A;  
4.4  
Tj = 25 °C; see Figure 13  
1234567...15

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