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PSMN028-100YS

更新时间： 2024-01-23 13:35:22

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
15页	247K
描述
N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level MOSFET

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PSMN028-100YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
雪崩能效等级（Eas）：	68 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.0275 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	137 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN028-100YS 数据手册

PSMN028-100YS

N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level MOSFET

Rev. 02 — 30 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

T_j

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 34 A; V_sup≤ 100 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

V_DS= 50 V; see Figure 15

and 16

10.3

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN028-100YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN014-40YS	NEXPERIA	类似代替	N-channel LFPAK 40 V, 14 mΩ standard level MO
PSMN5R8-40YS	NEXPERIA	类似代替	N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MO
PH3855L,115	NXP	功能相似	PH3855L - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

与PSMN028-100YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN028-100YS,115	NXP	获取价格	PSMN028-100YS - N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ
PSMN029-100HL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct
PSMN030-150B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN030-150B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin
PSMN030-150B_10	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
PSMN030-150P	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN030-150P	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction
PSMN030-150P,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin
PSMN030-60YS	NXP	获取价格	N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M
PSMN030-60YS	NEXPERIA	获取价格	N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M

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