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PSMN014-40YS

更新时间： 2024-11-16 06:05:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	241K
描述
N-channel LFPAK 40 V, 14 mΩ standard level MOSFET

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PSMN014-40YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	21 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	46 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	183 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN014-40YS 数据手册

PSMN014-40YS

N-channel LFPAK 40 V, 14 mΩ standard level MOSFET

Rev. 01 — 18 February 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

T_j

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 46 A; V_sup≤ 40 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 20 V; see Figure 14

and 15

2.4

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN014-40YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN030-60YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M
PSMN030-60YS	NEXPERIA	功能相似	N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M
PH3855L,115	NXP	功能相似	PH3855L - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

与PSMN014-40YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN014-40YS,115	NXP	获取价格	PSMN014-40YS - N-channel LFPAK 40 V, 14 mΩ st
PSMN014-60HS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 60 V, 14 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProdu
PSMN014-80YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 14 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN015-100B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN015-100B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction
PSMN015-100B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin
PSMN015-100P	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN015-100P	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction
PSMN015-100YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 15 mΩ logic level MOSFET in
PSMN015-100YSF	NEXPERIA	获取价格	NextPower 100 V, 15.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 packageQualification

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