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PSMN016-100BS

更新时间： 2023-09-03 20:25:39

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N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in D2PAKProduction

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PSMN016-100BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	101 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	57 A
最大漏极电流 (ID)：	57 A	最大漏源导通电阻：	0.016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	148 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN016-100BS 数据手册

PSMN016-100BS

N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in D2PAK

Rev. 2 — 1 March 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in a D2PAK packages qualified to 175C. This product

is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and

domestic equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_j= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

T_mb= 25 °C; see Figure 2

I_D

P_tot

total power dissipation

junction temperature

148

175

T_j

-55

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 100 °C; see

Figure 12

28.8

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 25 °C;

see Figure 13

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 30 A; V_DS= 50 V;

see Figure 14; see Figure 15

Q_G(tot)

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source

avalanche energy

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 60 A;

V_sup≤ 100 V; unclamped; R_GS= 50 Ω

101

12 3 4 5 6 7...14

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