Datasheet > PSMN020-100YS

PSMN020-100YS

更新时间： 2024-10-03 11:13:43

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	739K
描述
N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAKProduction

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN020-100YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
雪崩能效等级（Eas）：	71 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	43 A	最大漏源导通电阻：	0.0205 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	172 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN020-100YS 数据手册

PSMN020-100YS

N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAK

26 March 2014

Product data sheet

1. General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product

is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and

domestic equipment.

2. Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge

High efficiency gains in switching power converters

Improved mechanical and thermal characteristics

•

LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package

3. Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; Fig. 2

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 1

junction temperature

106

175

-55

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 100 °C;

Fig. 13

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 25 °C;

Fig. 14

20.5

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 30 A; V_DS= 50 V;

Fig. 15; Fig. 16

11.8

16.5

57.4

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

PSMN020-100YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN017-60YS	NEXPERIA	类似代替	N-channel LFPAK 60 V 15.7 mΩ standard level M
PSMN8R5-60YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS

与PSMN020-100YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN020-100YS,115	NXP	获取价格	PSMN020-100YS - N-channel 100V 20.5mΩ standar
PSMN020-150W	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor
PSMN020-30MLC	NXP	获取价格	31.8A, 30V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, LFPAK33-4
PSMN020-30MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 18.1 mΩ logic level MOSFET in
PSMN021-100YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 21 mΩ logic level MOSFET in
PSMN021-100YL	NXP	获取价格	POWER, FET
PSMN022-30BL	NXP	获取价格	N-channel 30 V 22.6 m logic level MOSFET in D2PAK
PSMN022-30BL,118	NXP	获取价格	PSMN022-30BL - N-channel 30 V 22.6 mΩ logic l
PSMN022-30BL_15	NXP	获取价格	N-channel 30 V 22.6 mÎ© logic level MOSFET in
PSMN022-30PL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 22 mΩ logic level MOSFETProduc

与PSMN020-100YS相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN020-100YS

PSMN020-100YS 技术参数

PSMN020-100YS 数据手册

PSMN020-100YS 替代型号

与PSMN020-100YS相关器件

与PSMN020-100YS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN020-100YS

PSMN020-100YS 技术参数

PSMN020-100YS 数据手册

PSMN020-100YS 替代型号

与PSMN020-100YS相关器件

与PSMN020-100YS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？