5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 45.4 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 37 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A |
| 参考标准： | IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN026-80YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level M |
|
| PSMN026-80YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level M |
|
| PSMN026-80YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN026-80YS - N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ s |
|
| PSMN027-100BS | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 37 A, 100 V, 0.0268 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Ge |
|
| PSMN027-100BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN027-100BS - N-channel 100V 26.8 mΩ standa |
|
| PSMN027-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN027-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN028-100HS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyPr |
|
| PSMN028-100YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level M |
|
| PSMN028-100YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level M |
|
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
