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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LFPAK33-4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 7.7 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 127 A | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN021-100YL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 21 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN021-100YL | NXP |
获取价格 |
POWER, FET |
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| PSMN022-30BL | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 22.6 m logic level MOSFET in D2PAK |
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| PSMN022-30BL,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN022-30BL - N-channel 30 V 22.6 mΩ logic l |
|
| PSMN022-30BL_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 22.6 mΩ logic level MOSFET in |
|
| PSMN022-30PL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V 22 mΩ logic level MOSFETProduc |
|
| PSMN025-100D | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PSMN025-100D/T3 | NXP |
获取价格 |
47A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3 |
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| PSMN025-100HS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 24.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyPr |
|
| PSMN025-80YL | NXP |
获取价格 |
POWER, FET |
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