Datasheet > PSMN022-30BL,118

PSMN022-30BL,118

更新时间： 2024-10-02 20:47:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	199K
描述
PSMN022-30BL - N-channel 30 V 22.6 mΩ logic level MOSFET in D2PAK D2PAK 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN022-30BL,118 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	41 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

PSMN022-30BL,118 数据手册

PSMN022-30BL

D2P

N-channel 30 V 22.6 mΩ logic level MOSFET in D2PAK

Rev. 1 — 21 March 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for logic level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switiching

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

I_D

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

T_j

-55

175

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 5 A; T_j= 100 °C;

see Figure 13

26.84 31.6

19.17 22.6

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 5 A; V_DS= 15 V;

see Figure 14; see Figure 15

1.4

4.4

Q_G(tot)

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 30 A;

drain-source

V_sup≤ 30 V; R_GS= 50 Ω; unclamped

avalanche energy

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与PSMN022-30BL,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN022-30BL_15	NXP	获取价格	N-channel 30 V 22.6 mÎ© logic level MOSFET in
PSMN022-30PL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 22 mΩ logic level MOSFETProduc
PSMN025-100D	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN025-100D/T3	NXP	获取价格	47A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3
PSMN025-100HS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 24.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyPr
PSMN025-80YL	NXP	获取价格	POWER, FET
PSMN025-80YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 25 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN026-80YS	NXP	获取价格	N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level M
PSMN026-80YS	NEXPERIA	获取价格	N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level M
PSMN026-80YS,115	NXP	获取价格	PSMN026-80YS - N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ s

与PSMN022-30BL,118相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN022-30BL,118

PSMN022-30BL,118 技术参数

PSMN022-30BL,118 数据手册

与PSMN022-30BL,118相关器件

与PSMN022-30BL,118相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN022-30BL,118

PSMN022-30BL,118 技术参数

PSMN022-30BL,118 数据手册

与PSMN022-30BL,118相关器件

与PSMN022-30BL,118相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？