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PSMN022-30BL,118

更新时间： 2024-11-16 20:47:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 199K
描述
PSMN022-30BL - N-channel 30 V 22.6 mΩ logic level MOSFET in D2PAK D2PAK 3-Pin

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PSMN022-30BL,118 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：41 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

PSMN022-30BL,118 数据手册

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PSMN022-30BL  
AK  
D2P  
N-channel 30 V 22.6 mΩ logic level MOSFET in D2PAK  
Rev. 1 — 21 March 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
High efficiency due to low switching  
Suitable for logic level gate drive  
and conduction losses  
sources  
1.3 Applications  
DC-to-DC converters  
Load switiching  
Motor control  
Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
30  
Unit  
V
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V; see Figure 1  
-
-
-
-
-
ID  
-
30  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
junction temperature  
-
41  
W
Tj  
-55  
175  
°C  
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 5 A; Tj = 100 °C;  
see Figure 13  
-
-
26.84 31.6  
19.17 22.6  
mΩ  
mΩ  
VGS = 10 V; ID = 5 A; Tj = 25 °C;  
see Figure 12  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 4.5 V; ID = 5 A; VDS = 15 V;  
see Figure 14; see Figure 15  
-
-
1.4  
4.4  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C; ID = 30 A;  
-
-
7
mJ  
drain-source  
Vsup ≤ 30 V; RGS = 50 Ω; unclamped  
avalanche energy  
 
 
 
 
 
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN022-30BL_15 NXP

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