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PSMN030-60YS

更新时间： 2023-09-03 20:35:58

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	820K
描述
N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level MOSFETProduction

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PSMN030-60YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	23 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	29 A
最大漏源导通电阻：	0.0247 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	116 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN030-60YS 数据手册

PSMN030-60YS

N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level MOSFET

Rev. 02 — 25 October 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 100 °C; see Figure 12

39.5 mΩ

_GS= 10 V; I_D= 15 A;

19.1 24.7 mΩ

T_j= 25 °C; see Figure 13

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

V_DS= 30 V; see Figure 14;

Q_G(tot)

see Figure 15

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN030-60YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN028-100YS	NXP	功能相似	N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level M
PSMN5R8-40YS	NXP	功能相似	N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MO
PSMN014-40YS	NXP	功能相似	N-channel LFPAK 40 V, 14 mΩ standard level MO

与PSMN030-60YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN030-60YS,115	NXP	获取价格	PSMN030-60YS - N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ s
PSMN030-60YS_1010	NXP	获取价格	N-channel LFPAK 60 V 24.7 mÎ© standard level
PSMN033-100HL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 31 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct
PSMN034-100BS	NXP	获取价格	N-channel 100 V 34.5 m standard level MOSFET in D2PAK
PSMN034-100BS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET
PSMN034-100BS,118	NXP	获取价格	PSMN034-100BS - N-channel 100 V 34.5 mΩ stand
PSMN034-100BS_15	NXP	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mÎ© standard level MOSFE
PSMN034-100PS	NXP	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mÎ© standard level MOSFE
PSMN034-100PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET
PSMN034-100PS,127	NXP	获取价格	PSMN034-100PS - N-channel 100 V 34.5 mΩ stand

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