Datasheet > PSMN034-100BS

PSMN034-100BS

更新时间： 2023-09-03 20:33:20

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	978K
描述
N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET in D2PAK.Production

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN034-100BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
雪崩能效等级（Eas）：	42 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.0345 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	127 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN034-100BS 数据手册

PSMN034-100BS

N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET in D2PAK.

Rev. 2 — 2 March 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

I_D

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

T_j

-55

175

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 100 °C;

see Figure 12

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; T_j= 25 °C;

see Figure 13

29.3

34.5

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 15 A; V_DS= 50 V;

see Figure 14; see Figure 15

6.9

Q_G(tot)

23.8

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 32 A;

drain-source

V_sup≤ 100 V; unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与PSMN034-100BS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN034-100BS,118	NXP	获取价格	PSMN034-100BS - N-channel 100 V 34.5 mΩ stand
PSMN034-100BS_15	NXP	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mÎ© standard level MOSFE
PSMN034-100PS	NXP	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mÎ© standard level MOSFE
PSMN034-100PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET
PSMN034-100PS,127	NXP	获取价格	PSMN034-100PS - N-channel 100 V 34.5 mΩ stand
PSMN035-150B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN035-150B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin
PSMN035-150B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 50 A, 150 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen
PSMN035-150P	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN038	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor

与PSMN034-100BS相关文章

芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

46
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

118
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

164
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

147

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN034-100BS

PSMN034-100BS 技术参数

PSMN034-100BS 数据手册

与PSMN034-100BS相关器件

与PSMN034-100BS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN034-100BS

PSMN034-100BS 技术参数

PSMN034-100BS 数据手册

与PSMN034-100BS相关器件

与PSMN034-100BS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？