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PSMN040-100MSE

更新时间： 2024-09-09 11:12:43

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	771K
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N-channel 100 V 36.6 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high power PoE applicationsProduction

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PSMN040-100MSE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
雪崩能效等级（Eas）：	54 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.0366 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	121 A	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN040-100MSE 数据手册

PSMN040-100MSE

N-channel 100 V 36.6 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33

designed specifically for high power PoE applications

26 March 2013

Product data sheet

1. General description

New standards and proprietary approaches are enabling Power-over-Ethernet (PoE)

systems capable of delivering up to 90W to each powered device (PD). Such solutions

place increased demands on the power sourcing equipment (PSE) in terms of “soft-start”,

thermal management and power density requirements.

2. Features and benefits

Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation

Low Rdson for low conduction losses

Ultra reliable LFPAK33 package for superior thermal and ruggedness performance

Very low I_DSS

•

3. Applications

High power PoE applications (60W and higher)

IEEE802.3at and proprietary solutions

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_j= 25 °C; V_GS= 10 V; Fig. 1

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

V_GS= 10 V; I_D= 10 A; T_j= 25 °C;

Fig. 13

29.4

36.6

mΩ

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 10 A; V_DS= 50 V;

T_j= 25 °C; Fig. 14; Fig. 15

10.7

Q_G(tot)

Avalanche Ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 30 A;

V_sup≤ 100 V; R_GS= 50 Ω; unclamped;

Fig. 3

source avalanche

energy

12 3 4 5 6 7...13

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