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PSMN039-100YS

更新时间： 2024-09-09 11:15:31

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	801K
描述
N-channel LFPAK 100 V 39.5 mΩ standard level MOSFETProduction

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PSMN039-100YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	28.1 A	最大漏源导通电阻：	0.0395 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	112 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN039-100YS 数据手册

PSMN039-100YS

N-channel LFPAK 100 V 39.5 mΩ standard level MOSFET

Rev. 02 — 2 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

28.1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

T_j

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 28.1 A; V_sup≤ 100 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

V_DS= 50 V;

see Figure 14 and 15

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN039-100YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN020-100YS	NEXPERIA	类似代替	N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET i
PSMN8R5-60YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS
PSMN017-60YS	NXP	功能相似	N-channel LFPAK 60 V 15.7 mΩ standard level M

与PSMN039-100YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN040-100MSE	NXP	获取价格	N-channel 100 V 36.6 m standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high pow
PSMN040-100MSE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 36.6 mΩ standard level MOSFET
PSMN040-100MSEX	NXP	获取价格	PSMN040-100MSE - N-channel 100 V 36.6 mΩ stan
PSMN040-200W	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN040-200W,127	NXP	获取价格	PSMN040-200W - N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET@en-us TO-247 3-Pin
PSMN041-100MSE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 42 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in LFPAK33 package. Designe
PSMN041-80YL	NXP	获取价格	25A, 80V, 0.041ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4
PSMN041-80YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V 41 mΩ logic level MOSFET in LF
PSMN041-80YLX	NXP	获取价格	N-channel 80 V 41 mΩ logic level MOSFET in LF
PSMN045-100HL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 45 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct

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