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PSMN5R8-40YS

更新时间： 2024-09-08 06:05:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	242K
描述
N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MOSFET

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PSMN5R8-40YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN5R8-40YS 数据手册

PSMN5R8-40YS

N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MOSFET

Rev. 01 — 8 March 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

T_j

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 90 A; V_sup≤ 40 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 75 A;

V_DS= 20 V; see Figure 14

and 15

7.6

Q_G(tot)

28.8

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN5R8-40YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN030-60YS	NEXPERIA	功能相似	N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M
PSMN014-40YS	NEXPERIA	功能相似	N-channel LFPAK 40 V, 14 mΩ standard level MO
PH3855L,115	NXP	功能相似	PH3855L - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

与PSMN5R8-40YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN5R8-40YS,115	NXP	获取价格	PSMN5R8-40YS - N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ st
PSMN6R0-25YLB	NXP	获取价格	N-channel 25 V 6.1 mÎ© logic level MOSFET in
PSMN6R0-25YLB	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 6.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN6R0-25YLB,115	NXP	获取价格	PSMN6R0-25YLB - N-channel 25 V 6.1 mΩ logic l
PSMN6R0-25YLC	NXP	获取价格	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)
PSMN6R0-25YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V, 6.75 mΩ logic level MOSFET in
PSMN6R0-30YL	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN6R0-30YL,115	NXP	获取价格	PSMN6R0-30YL - N-channel 30 V 6 mΩ logic leve
PSMN6R0-30YL_10	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN6R0-30YLB	NXP	获取价格	71A, 30V, 0.0081ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER SO8, LFPAK-4

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