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PH3855L,115 PDF预览

PH3855L,115

更新时间： 2024-09-08 15:47:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 186K
描述
PH3855L - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

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PH3855L,115 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, LFPAK-4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PH3855L,115 数据手册

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PH3855L  
N-channel TrenchMOS logic level FET  
Rev. 02 — 24 February 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in  
computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
„ Suitable for logic level gate drive  
sources  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V loads  
„ DC-to-DC convertors  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
55  
24  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 5 V;  
see Figure 3; see Figure 1  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
50  
-
W
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 5 V; ID = 15 A;  
VDS = 44 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 11  
5.5  
nC  
Static characteristics  
RDSon  
drain-source  
on-state resistance  
VGS = 10 V; ID = 15 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 9;  
see Figure 10  
-
32  
36  
mΩ  
 
 
 
 
 
1234567...12

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PH3855L,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PH3855L NXP

类似代替

 N-channel TrenchMOS logic level FET
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 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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