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PSMN028-100YS,115

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 233K
描述
PSMN028-100YS - N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level MOSFET SOIC 4-Pin

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PSMN028-100YS,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.72
Base Number Matches：1

PSMN028-100YS,115 数据手册

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PSMN028-100YS  
N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level MOSFET  
Rev. 02 — 30 March 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
„ Advanced TrenchMOS provides low  
„ Improved mechanical and thermal  
RDSon and low gate charge  
characteristics  
„ High efficiency gains in switching  
„ LFPAK provides maximum power  
power converters  
density in a Power SO8 package  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC converters  
„ Lithium-ion battery protection  
„ Load switching  
„ Motor control  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
100  
42  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
89  
W
Tj  
junction temperature  
-55  
175  
°C  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
drain-source  
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C;  
ID = 34 A; Vsup ≤ 100 V;  
unclamped; RGS = 50 Ω  
-
-
68  
mJ  
avalanche energy  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 15 A;  
VDS = 50 V; see Figure 15  
and 16  
-
-
10.3  
33  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
 
 
 
 
 
1234567...15

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