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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.19 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 222 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN030-150B_10 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET |
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| PSMN030-150P | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN030-150P | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction |
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| PSMN030-150P,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| PSMN030-60YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M |
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| PSMN030-60YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level M |
|
| PSMN030-60YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN030-60YS - N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ s |
|
| PSMN030-60YS_1010 | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V 24.7 mΩ standard level |
|
| PSMN033-100HL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 31 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct |
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| PSMN034-100BS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 34.5 m standard level MOSFET in D2PAK |
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