Datasheet > PSMN026-80YS,115

PSMN026-80YS,115

更新时间： 2024-01-31 17:14:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
14页	216K
描述
PSMN026-80YS - N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level MOSFET SOIC 4-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN026-80YS,115 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	34 A
最大漏源导通电阻：	0.0275 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	137 A	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN026-80YS,115 数据手册

PSMN026-80YS

N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level MOSFET

Rev. 01 — 25 June 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

T_j

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 31 A; V_sup≤ 80 V;

R_GS= 50 Ω; unclamped

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 40 V; see Figure 14;

see Figure 15

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与PSMN026-80YS,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN027-100BS	NXP	获取价格	TRANSISTOR 37 A, 100 V, 0.0268 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Ge
PSMN027-100BS,118	NXP	获取价格	PSMN027-100BS - N-channel 100V 26.8 mΩ standa
PSMN027-100PS	NXP	获取价格	N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET
PSMN027-100PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET
PSMN028-100HS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyPr
PSMN028-100YS	NXP	获取价格	N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level M
PSMN028-100YS	NEXPERIA	获取价格	N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level M
PSMN028-100YS,115	NXP	获取价格	PSMN028-100YS - N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ
PSMN029-100HL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct
PSMN030-150B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor

与PSMN026-80YS,115相关文章

芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

43
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

115
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

160
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

144

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN026-80YS,115

PSMN026-80YS,115 技术参数

PSMN026-80YS,115 数据手册

与PSMN026-80YS,115相关器件

与PSMN026-80YS,115相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN026-80YS,115

PSMN026-80YS,115 技术参数

PSMN026-80YS,115 数据手册

与PSMN026-80YS,115相关器件

与PSMN026-80YS,115相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？