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PSMN020-100YS

更新时间： 2024-10-02 10:00:27

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恩智浦 - NXP		/
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15页	235K
描述
N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAK

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PSMN020-100YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	71 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	43 A
最大漏极电流 (ID)：	43 A	最大漏源导通电阻：	0.0205 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	106 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	172 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN020-100YS 数据手册

PSMN020-100YS

N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAK

Rev. 02 — 7 January 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

106

175

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 43 A; V_sup≤ 100 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 30 A;

V_DS= 50 V; see Figure 14 and 15

11.8

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN020-100YS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN039-100YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 100 V 39.5 mΩ standard level
PSMN3R3-40YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 40 V 3.3 mΩ standard level MO
PSMN8R5-60YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS

与PSMN020-100YS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN020-100YS,115	NXP	获取价格	PSMN020-100YS - N-channel 100V 20.5mΩ standar
PSMN020-150W	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor
PSMN020-30MLC	NXP	获取价格	31.8A, 30V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, LFPAK33-4
PSMN020-30MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 18.1 mΩ logic level MOSFET in
PSMN021-100YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 21 mΩ logic level MOSFET in
PSMN021-100YL	NXP	获取价格	POWER, FET
PSMN022-30BL	NXP	获取价格	N-channel 30 V 22.6 m logic level MOSFET in D2PAK
PSMN022-30BL,118	NXP	获取价格	PSMN022-30BL - N-channel 30 V 22.6 mΩ logic l
PSMN022-30BL_15	NXP	获取价格	N-channel 30 V 22.6 mÎ© logic level MOSFET in
PSMN022-30PL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 22 mΩ logic level MOSFETProduc

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