是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PLASTIC, LFPAK-4 | 针数: | 235 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 162 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0033 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-235 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 546 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | PURE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PH20100S,115 | NXP |
类似代替 |
PH20100S - N-channel TrenchMOS standard level FET SOIC 4-Pin | |
PSMN020-100YS | NXP |
类似代替 |
N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET i | |
PSMN8R5-60YS | NXP |
类似代替 |
N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PSMN3R3-40YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN3R3-40YS - N-channel LFPAK 40 V 3.3 mΩ st | |
PSMN3R3-60PL | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 3.4 mΩ logic level MOSFET in | |
PSMN3R3-60PL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 3.4 mΩ logic level MOSFET in | |
PSMN3R3-80BS | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 3.5 m standard level MOSFET in D2PAK | |
PSMN3R3-80BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 80 V, 3.5 mΩ standard level MOSFET | |
PSMN3R3-80BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN3R3-80BS - N-channel 80 V, 3.5 mΩ standar | |
PSMN3R3-80BS_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 3.5 m standard level MOSFET in D2PAK | |
PSMN3R3-80ES | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 3.3 mΩ standard level MOSFET | |
PSMN3R3-80ES,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN3R3-80ES - N-channel 80 V, 3.3 mΩ standar | |
PSMN3R3-80PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 3.3 mΩ standard level MOSFET |