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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | 针数： | 235 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 28 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.00515 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 419 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN3R7-30YLC,115 | NXP |
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PSMN3R7-30YLC - N-channel 30 V 3.95 mΩ logic |
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| PSMN3R8-100BS | NEXPERIA |
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N-channel 100 V 3.9 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN3R9-100YSF | NEXPERIA |
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NextPower 100 V, 4.3 mOhm, 120 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E packageProduction |
|
| PSMN3R9-25MLC | NXP |
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N-channel 25 V 4.15 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology |
|
| PSMN3R9-25MLC | NEXPERIA |
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N-channel 25 V 4.15 mΩ logic level MOSFET in |
|
| PSMN3R9-25MLC_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 25 V 4.15 mΩ logic level MOSFET in |
|
| PSMN3R9-60PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 3.9 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN3R9-60PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 3.9 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN4R0-25YLC | NXP |
获取价格 |
N-channel 25 V 4.5 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN4R0-25YLC | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 25 V 4.5 mΩ logic level MOSFET in L |
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