5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN4R0-30YL
PSMN4R0-30YL PDF预览

PSMN4R0-30YL

更新时间： 2024-09-16 06:05:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 186K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

PSMN4R0-30YL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, LFPAK-4针数：235
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23雪崩能效等级（Eas）：41 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：99 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.00525 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：396 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN4R0-30YL 数据手册

 浏览型号PSMN4R0-30YL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PSMN4R0-30YL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PSMN4R0-30YL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PSMN4R0-30YL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PSMN4R0-30YL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PSMN4R0-30YL的Datasheet PDF文件第7页 
PSMN4R0-30YL  
N-channel TrenchMOS logic level FET  
Rev. 01 — 10 September 2008  
Preliminary data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in  
industrial and communications applications.  
1.2 Features and benefits  
„ High efficiency due to low switching  
„ Suitable for logic level gate drive  
and conduction losses  
sources  
1.3 Applications  
„ Class-D amplifiers  
„ Motor control  
„ DC-to-DC converters  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 150 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
30  
99  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
69  
-
W
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 4.5 V; ID = 10 A;  
VDS = 12 V; see Figure 14;  
see Figure 15  
4.3  
nC  
Static characteristics  
RDSon  
drain-source  
VGS = 10 V; ID = 15 A;  
-
2.69  
4
mΩ  
on-state resistance  
Tj = 25 °C; see Figure 12  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

PSMN4R0-30YL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PSMN4R0-30YL,115 NXP

类似代替

 PSMN4R0-30YL - N-channel 30 V 4 mΩ logic leve

与PSMN4R0-30YL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN4R0-30YL,115 NXP

获取价格

 		PSMN4R0-30YL - N-channel 30 V 4 mΩ logic leve
PSMN4R0-30YL_09 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN4R0-30YLD NXP

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
PSMN4R0-30YLD NEXPERIA

获取价格

 		N-channel 30 V, 4.0 mΩ logic level MOSFET in
PSMN4R0-30YLDX NXP

获取价格

 		PSMN4R0-30YLD - N-channel 30 V, 4.0 mΩ logic
PSMN4R0-40YS NXP

获取价格

 		N-channel LFPAK 40 V 4.2 mΩ standard level MO
PSMN4R0-40YS,115 NXP

获取价格

 		PSMN4R0-40YS - N-channel LFPAK 40 V 4.2 mΩ st
PSMN4R0-60YS NEXPERIA

获取价格

 		N-channel LFPAK 60 V, 4.0 mΩ standard level F
PSMN4R1-30YLC NXP

获取价格

 		NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)
PSMN4R1-30YLC NEXPERIA

获取价格

 		N-channel 30 V 4.35mΩ logic level MOSFET in L

与PSMN4R0-30YL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证