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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 17.4 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 84 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0058 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 336 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN4R0-30YL | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| PSMN4R0-30YL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN4R0-30YL - N-channel 30 V 4 mΩ logic leve |
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| PSMN4R0-30YL_09 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| PSMN4R0-30YLD | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| PSMN4R0-30YLD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V, 4.0 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN4R0-30YLDX | NXP |
获取价格 |
PSMN4R0-30YLD - N-channel 30 V, 4.0 mΩ logic |
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| PSMN4R0-40YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 40 V 4.2 mΩ standard level MO |
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| PSMN4R0-40YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN4R0-40YS - N-channel LFPAK 40 V 4.2 mΩ st |
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| PSMN4R0-60YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V, 4.0 mΩ standard level F |
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| PSMN4R1-30YLC | NXP |
获取价格 |
NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) |
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