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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN015-100P
PSMN015-100P PDF预览

PSMN015-100P

更新时间： 2024-01-01 19:27:36
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 105K
描述
N-channel TrenchMOS transistor

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PSMN015-100P 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：1.52
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：69 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：274 A参考标准：IEC-60134
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN015-100P 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
PSMN015-100B, PSMN015-100P  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Very low on-state resistance  
• Fast switching  
VDSS = 100 V  
ID = 75 A  
• Low thermal resistance  
g
RDS(ON) ≤ 15 mΩ  
s
GENERAL DESCRIPTION  
SiliconMAX products use the latest Philips Trench technology to achieve the lowest possible on-state resistance in  
each package at each voltage rating.  
Applications:-  
• d.c. to d.c. converters  
• switched mode power supplies  
The PSMN015-100P is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PSMN015-100B is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404 (D2PAK)  
PIN  
DESCRIPTION  
tab  
tab  
1
2
gate  
drain1  
3
source  
drain  
2
tab  
1
3
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
100  
100  
± 20  
752  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
53  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
240  
230  
175  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 package  
2 Maximum continuous current limited by package  
August 1999  
1
Rev 1.100  
1234567...9

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PSMN015-100P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PSMN009-100P,127 NXP

类似代替

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BUK9510-100B,127 NXP

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN015-100YL NEXPERIA

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PSMN015-110P NXP

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 		TrenchMOS Standard level FET
PSMN015-60BS NXP

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 		TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.0148 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen
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