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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.47 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 44 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0148 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 201 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN015-60BS,118 | ETC |
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MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
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| PSMN015-60PS | NXP |
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N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN015-60PS | NEXPERIA |
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N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFETP |
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| PSMN015-60PS,127 | NXP |
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PSMN015-60PS - N-channel 60 V 14.8 mΩ standar |
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| PSMN015-60PS_11 | NXP |
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N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN016-100BS | NXP |
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TRANSISTOR 57 A, 100 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen |
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| PSMN016-100BS | NEXPERIA |
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N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in |
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| PSMN016-100BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN016-100BS - N-channel 100V 16 mΩ standard |
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| PSMN016-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in |
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| PSMN016-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in |
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