5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN5R5-60YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN5R5-60YS - N-channel LFPAK 60 V, 5.2 mΩ s |
|
| PSMN5R6-100BS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN5R6-100BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN5R6-100BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN5R6-100BS - N-channel 100 V 5.6 mΩ standa |
|
| PSMN5R6-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN5R6-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN5R6-60YL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 5.6 mΩ logic level MOSFET in |
|
| PSMN5R8-30LL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, 1 MM HEIGH |
|
| PSMN5R8-30LL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN5R8-30LL - N-channel DFN3333-8 30 V 5.8 m |
|
| PSMN5R8-40YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 40 V 5.7 mΩ standard level MO |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
