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PSMN4R8-100BSE

更新时间： 2024-11-26 11:11:03
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 783K
描述
N-channel 100 V 4.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAKProduction

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PSMN4R8-100BSE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：542 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：643 pFJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：405 W
最大功率耗散 (Abs)：405 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：707 A
参考标准：IEC-60134表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：294 ns最大开启时间（吨）：159 ns
Base Number Matches：1

PSMN4R8-100BSE 数据手册

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PSMN4R8-100BSE  
N-channel 100 V 4.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK  
12 April 2013  
Product data sheet  
1. General description  
Standard level N-channel MOSFET in a D2PAK package qualified to 175 °C. Part of  
Nexperia's "NextPower Live" portfolio, the PSMN4R8-100BSE complements the latest  
"hot-swap" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn  
on, whilst offering a low RDS(on) characteristic to keep temperatures down and efficiency  
up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48 V backplane /  
supply rail.  
2. Features and benefits  
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation  
Very low RDS(on) for low conduction losses  
•
•
3. Applications  
Electronic fuse  
Hot swap  
Load switch  
Soft start  
•
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
100  
707  
405  
Unit  
V
VDS  
IDM  
Ptot  
drain-source voltage  
peak drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
pulsed; Tmb = 25 °C; tp ≤ 10 µs; Fig. 4  
-
-
-
-
-
-
A
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 12  
-
4.1  
4.8  
mΩ  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A; VDS = 50 V;  
Fig. 14; Fig. 15  
-
-
59  
83  
nC  
nC  
QG(tot)  
196  
278  
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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