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PSMN4R5-30YLC

更新时间: 2024-11-27 12:32:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 1803K
描述
NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)

PSMN4R5-30YLC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, LFPAK-4针数:235
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY雪崩能效等级(Eas):14.5 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):84 A
最大漏源导通电阻:0.0061 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-235JESD-30 代码:R-PSSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):336 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:PURE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PSMN4R5-30YLC 数据手册

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