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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 306 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 824 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN3R0-60PS,127 | NXP |
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PSMN3R0-60PS - N-channel 60 V 3.0 mΩ standard |
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| PSMN3R2-25YLC | NXP |
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N-channel 25 V 3.4 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN3R2-30YLC | NXP |
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NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) |
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| PSMN3R2-40YLB | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 3.3 mOhm, 120 A logic level MOSFET in LFPAK56 using optimized NextPowerS3 |
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| PSMN3R2-40YLD | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 3.3 mΩ, 120 A logic level MOS |
|
| PSMN3R3-100SSF | NEXPERIA |
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NextPower 100 V, 3.3 mOhm, 180 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 packageDevelopment |
|
| PSMN3R3-40MLH | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 3.3 mΩ, logic level MOSFET in |
|
| PSMN3R3-40MSH | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 3.3 mΩ, standard level MOSFET |
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| PSMN3R3-40YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 40 V 3.3 mΩ standard level MO |
|
| PSMN3R3-40YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN3R3-40YS - N-channel LFPAK 40 V 3.3 mΩ st |
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