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PSMN3R0-60PS

更新时间： 2024-09-16 11:14:55

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	815K
描述
N-channel 60 V 3.0 mΩ standard level MOSFETProduction

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PSMN3R0-60PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.003 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	824 A	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN3R0-60PS 数据手册

PSMN3R0-60PS

N-channel 60 V 3.0 mΩ standard level MOSFET

Rev. 02 — 28 October 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in a TO220 package qualified to 175 °C. This product

is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and

domestic equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

100

306

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

2.4

mΩ

on-state

resistance

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge V_GS= 10 V; I_D= 80 A; V_DS= 12 V;

see Figure 13; see Figure 14

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 100 A; V_sup≤ 60 V;

_GS= 50 Ω; unclamped

800 mJ

avalanche energy

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...14

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