NTE468

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体开关小信号场效应晶体管斩波器
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描述
Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch

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NTE468 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	2.19
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	35 V	最大漏源导通电阻：	30 Ω
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE468 数据手册

NTE468

Silicon N–Channel JFET Transistor

Chopper, High Speed Switch

Applications:

D Analog Switches

D Choppers

D Commutators

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Drain–Gate Voltage, V_DG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Gate Current, I_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.68mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Gate–Source Breakdown Voltage

I = 1µA, V = 0

–

(BR)GS

Gate Reverse Current

= –15V, V = 0

–

–3

–

–1.0

–10

1.0

GSS

Gate–Source Cutoff Voltage

Drain Cutoff Current

GS(off)

= 5V, I = 1µA

= 5V, V = –10V

D(off)

ON Characteristics

Zero–Gate Voltage Drain Current

Static Drain–Source ON Resistance

Drain–Gate ON Capacitance

Source–Gate ON Capacitance

Drain–Gate OFF Capacitance

Source–Gate OFF Capacitance

= 15V, V = 0, Note 1

–

Ω

DSS

(on)

= 0.1V

dg(on)

sg(on)

dg(off)

sg(off)

= V = 0, f = 1MHz

–

= V = 0, f = 1MHz

–

= –10V, f = 1MHz

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 3%.

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