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NTE47 PDF预览

NTE47

更新时间： 2024-11-30 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise Amp

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NTE47 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.44
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

NTE47 数据手册

 浏览型号NTE47的Datasheet PDF文件第2页 
NTE47  
Silicon NPN Transistor  
High Gain, Low Noise Amp  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/W  
Note 1 RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Colletor–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10mA, I = 0, Note 2  
45  
45  
6.5  
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
V
V
I = 100µA, I = 0  
C E  
I = 10µA, I = 0  
–
–
V
E
C
I
V
CB  
= 30V, I = 0  
1.0  
50  
nA  
CBO  
E
ON Characteristics (Note 2)  
DC Current Gain  
h
FE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
= 5V, I = 10µA  
400  
500  
580  
850  
–
–
C
= 5V, I = 100µA  
C
= 5V, I = 1mA  
500 1100  
500 1150  
–
C
= 5V, I = 10mA  
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter ON Voltage  
V
I = 10mA, I = 0.5mA  
–
–
–
–
0.2  
0.3  
0.7  
V
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 50mA, I = 0.5mA  
0.08  
0.6  
C
B
V
V = 5V, I = 1mA  
CE C  
BE(on)  
Note 2 Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
12

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